碳化硅MOSFET芯片技術(shù)突破,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新飛躍
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)在碳化硅MOSFET芯片制造領(lǐng)域取得的技術(shù)突破,確實(shí)是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要里程碑。通過(guò)四年的專注研發(fā),該中心不僅成功掌握了溝槽型碳化硅MOSFET芯片的制造關(guān)鍵技術(shù),而且顯著提升了芯片的導(dǎo)通性能,預(yù)計(jì)性能提升約30%。這一成果...
發(fā)布時(shí)間: 2024-09-12